美(mei)實現用納米(mi)級(ji)電線(xian)搭建可(ke)用於計算(suan)的(de)電路(lu)

美(mei)實現用納米(mi)級(ji)電線(xian)搭建可(ke)用於計算(suan)的(de)電路(lu)

目前電路(lu)板(ban)時，壹(yi)般是(shi)先(xian)根(gen)據(ju)設(she)計(ji)圖(tu)做出模(mo)板(ban)，然後采取蝕刻(ke)等方式(shi)，像印(yin)刷圖(tu)書壹(yi)樣(yang)在整(zheng)塊半導(dao)體芯(xin)片上印(yin)制(zhi)出電路(lu)。而(er)美(mei)國哈佛大學等機構(gou)研(yan)究(jiu)人員(yuan)用金(jin)屬鍺(zhe)制(zhi)成(cheng)只有(you)0納米(mi)寬(kuan)的(de)細(xi)小電線(xian)，然(ran)後將(jiang)它們(men)“編(bian)織(zhi)”成(cheng)電路(lu)並(bing)粘(zhan)貼到矽材料芯片(pian)上，制(zhi)成(cheng)電路(lu)板(ban)。

領導(dao)研(yan)究(jiu)的(de)查(zha)爾(er)斯(si)·利(li)伯(bo)說，采用納米(mi)級(ji)電線(xian)搭建成(cheng)的(de)電路(lu)看起來“就(jiu)像紗(sha)窗(chuang)壹(yi)樣(yang)”。通(tong)過這(zhe)種技(ji)術(shu)制(zhi)成(cheng)的(de)電路(lu)板(ban)已經可(ke)以實現在960平方微(wei)米(mi)的(de)面(mian)積(ji)上(shang)分(fen)布(bu)496個可(ke)編程(cheng)的(de)晶體管(guan)，可(ke)以被(bei)用來進行(xing)加(jia)減法(fa)和(he)基(ji)本的(de)邏(luo)輯(ji)運(yun)算。此外，研(yan)究(jiu)人員(yuan)還實現了用這(zhe)樣(yang)壹(yi)個電路(lu)去(qu)控制(zhi)和(he)驅(qu)動(dong)另(ling)壹(yi)個電路(lu)，這(zhe)意(yi)味著可(ke)以通(tong)過電路(lu)疊(die)加(jia)構(gou)成(cheng)更(geng)大規(gui)模(mo)的(de)電路(lu)。

不(bu)過也有(you)專家認(ren)為(wei)，現有的(de)印(yin)制(zhi)電路(lu)板(ban)技(ji)術(shu)已經很先(xian)進(jin)，可(ke)以在(zai)壹(yi)塊芯片上集(ji)成(cheng)上百(bai)萬個晶體管(guan)，采用納米(mi)級(ji)別(bie)電線(xian)搭建電路(lu)的(de)技(ji)術(shu)還需(xu)要更(geng)加(jia)小型化(hua)，才(cai)能與現有技(ji)術(shu)競爭(zheng)。但(dan)利(li)伯(bo)等人(ren)認(ren)為(wei)，本次研(yan)究(jiu)不(bu)僅提供了另(ling)外壹(yi)種制(zhi)作(zuo)電路(lu)板(ban)的(de)思(si)路(lu)和(he)途(tu)徑，且(qie)這(zhe)種技(ji)術(shu)在某(mou)些方面(mian)也(ye)還(hai)具有(you)競(jing)爭(zheng)力。比(bi)如通(tong)過這(zhe)種技(ji)術(shu)制(zhi)成(cheng)的(de)電路(lu)板(ban)與傳統電路(lu)板(ban)相(xiang)比更(geng)為(wei)節能，在那些功(gong)率較(jiao)小的(de)小(xiao)型(xing)電子設(she)備(bei)中(zhong)具有(you)應用前景(jing)。